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J-GLOBAL ID：200902195742287952   整理番号：02A0501695

γ-Al₂O₃/Si多重へテロ構造による共鳴トンネルダイオードの作製

Fabrication of Resonance Tunnel Diode by γ-Al₂O₃/Si Multiple Heterostructures.

著者 (4件)： SHAHJAHAN M (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  KOJI Y (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  SAWADA K (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN) ,  ISHIDA M (Toyohashi Univ. Technol., Toyohashi, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 41  号： 4B  ページ： 2602-2605  発行年： 2002年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で負性微分コンダクタンスを示すγ-Al<sub>2</s...

シソーラス用語： *酸化アルミニウム ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  ダイオード  (NC03050R)

引用文献 (8件)：

• 1) B. D. Weaver, E. M. Jackson, G. P. Summers and A. C. Seabgh: J. Appl. Phys. 88 (2000) 6951.
• 2) Sun, Haddad, Mazumder and Schulman: Proc. IEEE 86 (1998) 640.
• 3) M. Watanabe, Y. Iketani and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 39 (2000) L964.
• 4) Y. C. Jung, H. Miura and M. Ishida: Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 2333.
• 5) J. Robertson: J. Vac. Sci. Technol. B 18 (2000) 1785.

タイトルに関連する用語 (6件)： γ-AL2O3 ,  Si ,  多重 ,  テロ ,  共鳴トンネルダイオード ,  作製