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J-GLOBAL ID：200902197065326574   整理番号：93A0660277

Photoluminescence and Hall characterization of pseudomorphic GaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures grown by molecular-beam epitaxy.

著者 (3件)：
BAETA MOREIRA M V

BAETA MOREIRA M V について

(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE)

Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE について

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PY M A

PY M A について

(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE)

Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE について

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ILEGEMS M

ILEGEMS M について

(Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE)

Swiss Federal Inst. Technology, Lausanne, CHE について


資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures  (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures について


巻： 11  号： 3  ページ： 593-600  発行年： 1993年05月 
JST資料番号： E0974A  ISSN： 1071-1023  CODEN： JVTBD9  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
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GaAs

GaAs について

, 
InGaAs

InGaAs について

, 
AlGaAs

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