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J-GLOBAL ID:200902197198072770   整理番号:01A0486790

周期的な溝を持つ基板上のGaNのヘテロエピタキシャル横方向被覆成長 転位密度が低いGaN単結晶を成長させる新しい方法

Heteroepitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Periodically Grooved Substrates: A New Approach for Growing Low-Dislocation-Density GaN Single Crystals.
著者 (8件):
資料名:
巻: 40  号: 1A/B  ページ: L16-L19  発行年: 2001年01月15日 
JST資料番号: F0599B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  半導体の格子欠陥 

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