文献

J-GLOBAL ID：200902197198072770   整理番号：01A0486790

周期的な溝を持つ基板上のGaNのヘテロエピタキシャル横方向被覆成長 転位密度が低いGaN単結晶を成長させる新しい方法

Heteroepitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Periodically Grooved Substrates: A New Approach for Growing Low-Dislocation-Density GaN Single Crystals.

著者 (8件)： DETCHPROHM T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  YANO M (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  SANO S (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKAMURA R (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  MOCHIDUKI S (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  NAKAMURA T (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AMANO H (Meijo Univ., Nagoya, JPN) ,  AKASAKI I (Meijo Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 40  号： 1A/B  ページ： L16-L19  発行年： 2001年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 周期的溝構造を持つ基板を使って転位密度が低いGaN単結晶をM...

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,...
準シソーラス用語： 横方向被覆成長

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (12件)：

• 1) H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki and Y. Toyoda: Appl. Phys. Lett. 48 (1986) 353.
• 2) H. Amano, T. Kozawa, K. Hiramatsu, N. Sawaki, I. Akasaki, Y. Ishii and K. Ikeda: J. Lumin. 40/41 (1988) 121.
• 3) N. Koide, H. Kato, M. Sassa, S. Yamasaki, K. Manabe, H. Amano, K. Hiramatsu and I. Akasaki: J. Cryst. Growth 115 (1991) 639.
• 4) H. Murakami, T. Asahi, H. Amano, K. Hiramatsu, N. Sawaki and I. Akasaki: J. Cryst. Growth 115 (1991) 648.
• 5) A. Usui, H. Sunakawa, A. Sakai and A. A. Yamaguchi: Jpn. J. Appl. Phys. 36 (1997) L899.

タイトルに関連する用語 (6件)： 周期 ,  GaN ,  横方向被覆成長 ,  転位密度 ,  単結晶 ,  成長