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J-GLOBAL ID：200902197218316700   整理番号：01A0552243

ドープしたAlN膜のオーミック特性

The ohmic character of doped AlN films.

著者 (5件)： OKAMOTO M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YAP Y K (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  YOSHIMURA M (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  MORI Y (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  SASAKI T (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)
巻： 10  号： 3/7  ページ： 1322-1325  発行年： 2001年03月 
JST資料番号： W0498A  ISSN： 0925-9635  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlNと黒鉛をターゲットとした2ビームPLD法により1000...

シソーラス用語： *窒化アルミニウム ,...

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分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (2件)： ドープ ,  AlN