逆メサエッチ基板上のGaAs/Al<sub>0.3</sub>Ga<sub>0.7</sub>As多層構造の斜入射によるMBE成長 (5)

文献

J-GLOBAL ID：200902197510181735 整理番号：94A0879030

逆メサエッチ基板上のGaAs/Al_0.3Ga_0.7As多層構造の斜入射によるMBE成長 (5)

Glancing angle MBE growth of GaAs/Al0.3Ga0.7As multi-layer on reverse mesa substrate. (5).

出版者サイト複写サービスで全文入手
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=94A0879030&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0055A") }}

著者 (7件)： , , , , , ,
資料名：
巻： 55th 号： 1 ページ： 283 発行年： 1994年09月
JST資料番号： Y0055A 資料種別：会議録 (C)
発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

, , ,

前のページに戻る