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J-GLOBAL ID：200902197878385241   整理番号：01A0772430

高密度SiF₄プラズマの中のSiF₄とSiF₂の密度のシングルパス赤外ダイオードレーザ吸収分光法とレーザ誘起蛍光法を用いた空間分布の測定

Measurement of Spatial Distribution of SiF₄ and SiF₂ Densities in High Density SiF₄ Plasma Using Single-Path Infrared Diode Laser Absorption Spectroscopy and Laser-Induced Fluorescence Technique.

著者 (5件)： NAKAMURA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORI M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  GOTO T (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ITO M (Wakayama Univ., Wakayama, JPN) ,  ISHII N (Tokyo Electron Ltd., Osaka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 40  号： 7  ページ： 4730-4735  発行年： 2001年07月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 反応性プラズマの中のSiF₄分子の絶対...

シソーラス用語： ECRプラズマ ,...

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分類 (2件)： プラズマ応用  (BJ02110K) ,  プラズマ診断  (BJ02090L)

引用文献 (20件)：

• 1) S. Lee and J. W. Park: J. Appl. Phys. 80 (1996) 5260.
• 2) T. Tamura, Y. Inoue, M. Satou, H. Yoshitaka and J. Sakai: Jpn. J. Appl. Phys. 35 (1996) 2526.
• 3) H. Ohta, A. Nagashima, M. Hori and T. Goto: Ext. Abstr. 2000 Int. Conf. Solid State Devices and Materials, Sendai, p. 180.
• 4) T. Akasaka and I. Shimizu: Appl. Phys. Lett. 66 (1995) 3441.
• 5) T. Homma, R. Yamaguchi and Y. Murao: J. Electrochem. Soc. 140 (1993) 687.

タイトルに関連する用語 (8件)： プラズマ ,  密度 ,  パス ,  赤外 ,  ダイオード ,  レーザ吸収分光法 ,  レーザ誘起蛍光法 ,  空間分布