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J-GLOBAL ID：200902198080079075   整理番号：00A0812115

共軸直衝突イオン散乱分光によるSi(100)-2×1表面の初期酸化の観察

A study on initial oxidation of Si(100)-2×1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy.

著者 (6件)： WASEKURA M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HIGASHI M (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  IKEDA H (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SAKAI A (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  ZAIMA S (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  YASUDA Y (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 159/160  ページ： 35-40  発行年： 2000年06月 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化したSi(100)2×1表面の最初の数層の構造変化を標記...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...
準シソーラス用語： 直衝突イオン散乱分光法

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分類 (2件)： その他の無触媒反応  (CB06070U) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 衝突 ,  イオン散乱分光 ,  Si ,  初期 ,  酸化 ,  観察