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J-GLOBAL ID:200902198080079075   整理番号:00A0812115

共軸直衝突イオン散乱分光によるSi(100)-2×1表面の初期酸化の観察

A study on initial oxidation of Si(100)-2×1 surfaces by coaxial impact collision ion scattering spectroscopy.
著者 (6件):
資料名:
巻: 159/160  ページ: 35-40  発行年: 2000年06月 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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酸化したSi(100)2×1表面の最初の数層の構造変化を標記...
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準シソーラス用語:
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分類 (2件):
分類
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その他の無触媒反応  ,  半導体の表面構造 

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