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J-GLOBAL ID：200902198377714950   整理番号：02A0920337

ミクロパイプ解離の4H-SiC成長条件が及ぼす影響

Influence of 4H-SiC Growth Conditions on Micropipe Dissociation.

著者 (4件)： KAMATA I (Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN) ,  TSUCHIDA H (Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN) ,  JIKIMOTO T (Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN) ,  IZUMI K (Central Res. Inst. Electric Power Industry (CRIEPI), Yokosuka, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 10B  ページ： L1137-L1139  発行年： 2002年10月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC成長条件がミクロパイプの解離に及ぼす影響を調べた...

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (7件)：

• 1) P. G. Neudeck and J. A. Powell: IEEE Electron Device Lett. 15 (1994) 63.
• 2) I. Kamata, H. Tsuchida, T. Jikimoto and K. Izumi: Jpn. J. Appl. Phys. 40 (2001) L1012.
• 3) H. Tsuchida, T. Tsuji, I. Kamata, T. Jikimoto, H. Fujisawa, S. Ogino and K. Izumi: Mater. Sci. Forum 353-356 (2001) 131.
• 4) R. Yakimova, M. Tuominen, A. S. Bakin, J.-O. Fornell, A. Vehanen and E. Janzen: Inst. Phys. Conf. Ser. 142 (1996) 101.
• 5) S. Rendakova, N. Kuznetsov, N. Savkina, M. Rastegaeva, A. Andreev, M. Minbaeva, A. Morozov and V. Dmitriev: Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 512 (1998) 131.

タイトルに関連する用語 (4件)： パイプ ,  解離 ,  4H-SiC ,  成長条件