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J-GLOBAL ID：200902198456197325   整理番号：02A0219597

MBE成長した短周期(Si_m/Ge_n)_N超格子(SSL)とそれが均一Si_0.75Ge_0.25/(SSL)/Si(001)系の成長に及ぼす影響

MBE grown short-period (Si_m/Ge_n)_N superlattices (SSLs) and its effect on the growth of uniform Si_0.75Ge_0.25/(SSLs)/Si(001) systems.

著者 (5件)： RAHMAN M M (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  KURUMATANI K (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  MATADA H (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TAMBO T (Toyama Univ., Toyama, JPN) ,  TATSUYAMA C (Toyama Univ., Toyama, JPN)
資料名： Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology  (Materials Science & Engineering. B. Solid-State Materials for Advanced Technology)
巻： B89  号： 1/3  ページ： 252-256  発行年： 2002年02月14日 
JST資料番号： T0553A  ISSN： 0921-5107  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si_1-xGe_x...

シソーラス用語： 半導体薄膜 ,...

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分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： MBE成長 ,  短周期 ,  超格子 ,  SSL ,  Si ,  系 ,  成長