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J-GLOBAL ID：200902198992158758   整理番号：02A0465867

光伝導体/強誘電体ヘテロ接合不揮発性光メモリの作製とその特性評価

著者 (5件)： PARK Y G (大阪大 産科研) ,  LEE H Y (大阪大 産科研) ,  田中秀和 (大阪大 産科研) ,  田畑仁 (大阪大 産科研) ,  川合知二 (大阪大 産科研)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 49th  号： 2  ページ： 544  発行年： 2002年03月27日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 可視光 ,...
準シソーラス用語： PZT【鉛化合物】

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分類 (3件)： その他の光デバイス  (BD06060O) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  光伝導,光起電力  (BM03050J)

タイトルに関連する用語 (7件)： 光伝導体 ,  強誘電体 ,  ヘテロ接合 ,  不揮発性 ,  光メモリ ,  作製 ,  特性評価