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J-GLOBAL ID：200902199089357449   整理番号：02A0272795

CH₄/H₂ドライエッチングと有機金属気相エピタクシー再成長法で作製したGaInAsP/InP歪補正量子細線レーザ

GaInAsP/InP Strain-Compensated Quantum-Wire Lasers Fabricated by CH₄/H₂ Dry Etching and Organometallic Vapor-Phase-Epitaxial Regrowth.

著者 (6件)： YAGI H (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  MURANUSHI K (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  NUNOYA N (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  SANO T (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  TAMURA S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN) ,  ARAI S (Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 41  号： 2B  ページ： L186-L189  発行年： 2002年02月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 波長1.5μmで発振する標記量子細線レーザを作製してレーザ特...

シソーラス用語： *ヒ化リン化インジウムガリウム ,...
準シソーラス用語： 量子細線レーザ ,...

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分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

引用文献 (12件)：

• 1) M. Asada, Y. Miyamoto and Y. Suematsu: IEEE J. Quantum Electron. QE-22 (1986) 1915.
• 2) Y. Arakawa and A. Yariv: IEEE J. Quantum Electron. QE-22 (1986) 1887.
• 3) Y. Miyake and M. Asada: Jpn. J. Appl. Phys. 28 (1989) 1280.
• 4) E. Kapon, S. Simhony, R. Bhat and D. M. Hwang: Appl. Phys. Lett. 55 (1989) 2715.
• 5) M. Tsuchiya, P. M. Petroff and L. A. Coldren: IEEE Trans. Electron Devices 36 (1989) 2612.

タイトルに関連する用語 (9件)： H2 ,  ドライエッチング ,  有機金属気相エピタクシー ,  再成長 ,  作製 ,  GaInAsP ,  InP ,  歪補正 ,  量子細線レーザ