ハロゲンによるSi表面の電子的不動態

文献

J-GLOBAL ID：200902199359871123 整理番号：94A0527244

Electronic Passivation of Silicon Surfaces by Halogens.

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資料名：
巻： 23 号： 5 ページ： 487-491 発行年： 1994年05月
JST資料番号： D0277B ISSN： 0361-5235 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

よう素原子の終端化によるSi表面の電子的不動態化について述べ...

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固体デバイス材料

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