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J-GLOBAL ID：200902199458274471   整理番号：97A0775356

SiO₂/半導体表面上での原子間力顕微鏡ナノリソグラフィー

Atomic Force Microscope Nanolithography on SiO₂/Semiconductor Surfaces.

著者 (3件)： AVRAMESCU A (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  UESUGI K (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN) ,  SUEMUNE I (Hokkaido Univ., Sapporo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 36  号： 6B  ページ： 4057-4060  発行年： 1997年06月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子間力顕微鏡(AFM)を使って,半導体表面上にナノメータス...

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (9件)：

• 1) D. Leonard, M. Krishnamurthy, C. M. Reaves, S. P. Denbaars and P. M. Petroff: Appl. Phys. Lett. 63 (1993) 3203
• 2) T. A. Jung, A. Moser, H.J. Hug, D. Brodbeck, R. Hofer, H. R. Hidber and U. D. Schwarz: Ultramicroscopy 42 (1992) 1446.
• 3) H. J. Mamin and D. Rugar: Appl. Phys.Lett. 61 (1992) 1003
• 4) L. L. Sohn and R. L. Willett: Appl. Phys. Lett. 67 (1995) 1552
• 5) H. W. Schumacher, B. Kracke and B. Damaschke: Thin Solid Films 264 (1995) 268.

タイトルに関連する用語 (4件)： SiO2 ,  半導体表面 ,  原子間力顕微鏡 ,  ナノリソグラフィー