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J-GLOBAL ID：200902200253055198   整理番号：09A0165071

垂直型AlGaN系深紫外発光ダイオード用のレーザリフトオフにおけるAlN/AlGaN短周期超格子犠牲層

AlN/AlGaN short-period superlattice sacrificial layers in laser lift-off for vertical-type AlGaN-based deep ultraviolet light emitting diodes

著者 (6件)： TAKEUCHI Misaichi (Nanoscience Dev. and Support Team, RIKEN, Wako, Saitama 351-0198, JPN) ,  MAEGAWA Tomohiro (Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  SHIMIZU Hiroshi (Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  OOISHI Shin (Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  OHTSUKA Takumi (Dep. of Electronics and Applied Physics, Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  AOYAGI Yoshinobu (Ritsumeikan Global Innovation Res. Organization, Ritsumeikan Univ., 1-1-1 Noji-Higashi, Kusatsu, Shiga 525-8577, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 94  号： 6  ページ： 061117  発行年： 2009年02月09日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 通常のGaN光吸収層の代りに200周期のAlN/Al_0.22Ga_0.78N短周期超格子(SPSL)を用いてAlN/サファイアテンプレートから,Al_0.45Ga_0.55N層の大面積(~1cm²)レーザリフトオフ(LLO)ウエハ分離を実証した。SPSLはLLO工程において光吸収層及び機械的に弱まった層として機能する。このSPSL支援LLO法は垂直型AlGaN系深紫外発光ダイオード及び自立型AlN-AlGaN塊状基板の今後の進歩を約束する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 窒化アルミニウム ,  窒化ガリウム ,  半導体材料 ,  *発光ダイオード ,  ウエハ【IC】 ,  超格子 ,  *層 ,  *半導体プロセス
準シソーラス用語： *犠牲層

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (9件)： 垂直型 ,  AlGaN ,  深紫外発光ダイオード ,  レーザ ,  リフトオフ ,  AlN ,  短周期 ,  超格子 ,  犠牲層