弱く結合した量子ドットでの結合状態の電場制御

MOROHASHI Isao; MOROHASHI Isao; KOMORI Kazuhiro; KOMORI Kazuhiro; YAMAUCHI Shohgo; YAMAUCHI Shohgo; GOSHIMA Keishiro; GOSHIMA Keishiro; SHIKANAI Amane; SHIKANAI Amane; SUGAYA Takeyoshi; SUGAYA Takeyoshi

文献

J-GLOBAL ID：200902200275547019 整理番号：08A0557600

弱く結合した量子ドットでの結合状態の電場制御

Electric-Field Control of Coupled States in Weakly Coupled Quantum Dots

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資料名：
巻： 47 号： 4 Issue 2 ページ： 2884-2887 発行年： 2008年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

二量子ビット励起子量子論理ゲートでの相互作用の操作を目的として,著者らは,電場制御した結合量子ドット(CQD)素子を作製し,弱く結合した系での外部電場による励起子状態の制御可能性を測定した。このCQD素子の光ルミネセンススペクトルにおいて,2個のピークを観測した。これらは,電場を変化させると,その強度が相関的に変化した。さらに,光ルミネセンス励起スペクトルにおいて,比較的弱い強度変化を観測した。これらの結果は,励起子-励起子相互作用,つまり,量子ドットに閉じ込められた励起子間の双極子-双極子相互作用に起因することを記した。(翻訳著者抄録)

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半導体のルミネセンス

引用文献 (16件)：

Z. Yuan, B. E. Kardynal, R. M. Stevenson, A. J. Shields, C. J. Lobo, K. Cooper, N. S. Beanie, D. A. Ritchie, and M. Pepper: Science 295(2002)102.
T. Miyazawa, K. Takemoto, Y. Sakuma, S. Hirose, T. Usuki, N. Yokoyama, M. Takatsu, and Y. Arakawa: Jpn. J. Appl. Phys.44(2005) L620.
R. M. Stevenson, R. J. Young, R. Atlinson, K. Cooper, D. A. Ritchie, and A. J. Shields: Nature 439(2006)179.
T. Amano, T. Sugaya, and K. Komori: Appl. Phys. Lett.89(2006)171122.
M. A. Nielsen and I. L. Chuang: Quantum Computation and Quantum Information (Cambridge University Press, New York, 2000).

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