NOVIKOV I. I. について
Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について
GORDEEV N. Yu. について
Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について
KARACHINSKII L. Ya. について
Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について
MAKSIMOV M. V. について
Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について
SHERNYAKOV Yu. M. について
Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS について
KOVSH A. R. について
NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU について
KRESTNIKOV I. L. について
NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU について
KOZHUKHOV A. V. について
NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU について
MIKHRIN S. S. について
NL Nanosemiconductor GmbH, Dortmund, DEU について
Semiconductors について
ヒ化インジウム について
担体 について
半導体レーザ について
InAs について
GaAs について
量子ドットレーザ について
温度安定性 について
活性領域 について
p型ドーピング について