文献

J-GLOBAL ID：200902200659765722   整理番号：07A1225200

高耐圧GaNデバイスのスイッチング電源への搭載

Evaluation of High Voltage GaN Devices in Switching Power Supplies

著者 (2件)： 猪澤道能 (サンケン電気) ,  町田修 (サンケン電気)
資料名： サンケン技報  (Sanken Technical Report)
巻： 39  ページ： 43-46  発行年： 2007年12月01日 
JST資料番号： S0481A  ISSN： 0285-9815  CODEN： STEQDU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN電子デバイスは次世代の低損失電源用デバイスとして,その...

シソーラス用語： *ガリウム化合物 ,...
準シソーラス用語： *GaN ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A1225200&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0481A") }}

分類 (3件)： ダイオード  (NC03050R) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  電源回路  (NC05060Q)

引用文献 (3件)：

• 大塚: 応用物理, 第76巻, 第5号, p489-494,(2007)
• 町田他: 平成19年電気学会全国大会, 講演論文集, 4-007
• 柳原, 馬場: サンケン技報, vol.38, no.1, p35-38

タイトルに関連する用語 (3件)： 高耐圧 ,  GaN ,  スイッチング電源