高ドット密度と高均一性を持つ1.3μm InAs量子ドットレーザ

AMANO Takeru; SUGAYA Takeyoshi; KOMORI Kazuhiro

文献

J-GLOBAL ID：200902200745656200 整理番号：06A0231423

高ドット密度と高均一性を持つ1.3μm InAs量子ドットレーザ

1.3-μm InAs Quantum-Dot Laser With High Dot Density and High Uniformity

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巻： 18 号： 1/4 ページ： 619-621 発行年： 2006年01月01日
JST資料番号： T0721A ISSN： 1041-1135 CODEN： IPTLEL 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：短報発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

既存のGaAs技術と互換性のある高性能1.3μm半導体レーザ...

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半導体レーザ

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