研究者
J-GLOBAL ID:200901044475834076
更新日: 2022年07月03日
天野 建
アマノ タケル | Amano Takeru
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所属機関・部署:
独立行政法人産業技術総合研究所 光技術研究部門 光電子制御デバイスグループ
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ホームページURL (1件):
http://www.aist.go.jp/RESEARCHERDB/cgi-bin/worker_detail.cgi?call=namae&rw_id=T39246698
研究分野 (1件):
電子デバイス、電子機器
研究キーワード (1件):
MEMS 量子ドット 面発光レーザ
MISC (8件):
Takeru Amano, Takeyoshi Sugaya, Kazuhiro Komori. Characteristics of 1.3 mu m quantum-dot lasers with high-density and high-uniformity quantum dots. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 89. 17
AMANO Takeru, SUGAYA Takeyoshi, YAMAUCHI Shohgo, KOMORI Kazuhiro. Realization of 1.3 μm InAs quantum dots with high density, uniformity, and quality. JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH. 2006. 295. 2. 162-165
Takeyoshi Sugaya, Takeru Amano, Kazuhiro Komori. Improved optical properties of InAs quantum dots grown with an As-2 source using molecular beam epitaxy. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. 2006. 100. 6. 063107-1-063107-4
T Amano, S Yamauchi, T Sugaya, K Komori. Control of subband energy levels of quantum dots using InGaAs gradient composition strain-reducing layer. APPLIED PHYSICS LETTERS. 2006. 88. 26. 261110-261112
T Amano, T Sugaya, K Komori. 1.3-mu m InAs quantum-dot laser with high dot density and high uniformity. IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS. 2006. 18. 1-4. 619-621
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所属学会 (2件):
応用物理学会
, IEEE
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