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J-GLOBAL ID:200902200813835062   整理番号:05A0969213

薄膜結晶シリコン太陽電池におけるほう素ドープp型水素化非晶質シリコンと結晶シリコンのヘテロ接合における背面電場の効果

Back-Surface-Field Effects at the Heterojunctions between Boron-Doped p-Type Hydrogenated Amorphous Silicon and Crystalline Silicon in Thin-Film Crystalline Silicon Solar Cells
著者 (3件):
資料名:
巻: 44  号: 10  ページ: 7332-7339  発行年: 2005年10月15日 
JST資料番号: G0520B  ISSN: 0021-4922  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (1件):
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太陽電池 
引用文献 (28件):
  • 1) R. Brendel: Thin-film Crystalline Silicon Solar Cells (Wiley-VCH, Weinheim, 2003) p. 99.
  • 2) T. Sawada, N. Terada, S. Tsuge, T. Baba, T. Takahama, K. Wakisaka, S. Tsuda and S. Nakano: Proc. 1994 IEEE 1st World Conf. Photovoltaic Energy Conversion (IEEE, Piscataway, 1994) p. 1219.
  • 3) See, for example, Hydrogen in Semiconductors, eds. J. I. Pankove and N. M. Johnson, (Academic Press, San Diego, 1991) Semiconductors and Semimetals Vol. 34, p. 35.
  • 4) R. Shimokawa, M. Yamanaka and I. Sakata: Proc. 3rd World Conf. & Exhib. Photovoltaic Solar Energy Conversion (2003) p. 1198.
  • 5) M. Green: High Efficiency Silicon Solar Cells (Trans Tech Publications, Aedermannsdorf, 1987) p. 61.
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