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J-GLOBAL ID:200902200825317156 整理番号:04A0816806
LSI技術の課題と今後のあり方
Issues of Current LSI Technology and the Future Technology Direction
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著者 (1件):
松沢昭
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東京工大 大学院理工学研究科
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資料名:
電子情報通信学会論文誌 C (IEICE Transactions on Electronics (Japanese Edition))
電子情報通信学会論文誌 C について
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巻:
J87-C
号:
11
ページ:
802-809
発行年:
2004年11月01日
JST資料番号:
S0623C
ISSN:
1345-2827
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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(NC03161C)
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引用文献 (10件):
DENNARD, R. H. Design of ion-implanted MOSFET's with very small physical dimensions. IEEE J. Solid-State Circuits. 1974, SC-9, 5, 256-268
MOOR, G. E. No exponential is forever : But "Forever" can be delayed!. IEEE ISSCC Dig. of Technical Papers, Feb. 2003. 2003, 20-23
International Technology Roadmap for Semiconductors. 2003
HOROWITZ, M. How scaling will change processor architecture. IEEE ISSCC Dig. of Technical Papers, Feb. 2004. 2004, 132-133
最上徹. 低消費電力・高速LSI技術. 1998, 547-560
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