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J-GLOBAL ID：200902201009225614   整理番号：06A0510640

Si(111)基板上に作製した3C-SiCエピタキシャル膜の二重位置決め境界の削減

Reduction in double-positioning boundaries in 3C-SiC epitaxial films fabricated on Si (111) substrates

著者 (4件)： KUSUMORI Takeshi (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...) ,  MUTO Hachizo (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...) ,  OKADA Masahisa (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...) ,  JIN Ping (National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Chubu 2266-98 Anagahora, Shimoshidami, Moriyama-ku ...)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 513  号： 1-2  ページ： 307-310  発行年： 2006年08月14日 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 立方晶系炭化けい素(3C-SiC)エピタキシャル膜中で一種の...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

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分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： Si ,  作製 ,  3C-SiC ,  エピタキシャル膜 ,  境界