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J-GLOBAL ID：200902201174022817   整理番号：06A0747402

MOCVD法によるPrシリケートゲート絶縁膜のN₂アニール効果の検討

著者 (9件)： 古川亮介 (東京工大 量ナノエレ研セ・大学院) ,  古川亮介 (武蔵工大 工) ,  須藤貴也 (東京工大 量ナノエレ研セ・大学院) ,  土屋良重 (東京工大 量ナノエレ研セ・大学院) ,  野平博司 (武蔵工大 工) ,  水田博 (東京工大 量ナノエレ研セ・大学院) ,  丸泉琢也 (武蔵工大 工) ,  白木靖寛 (武蔵工大 総研) ,  小田俊理 (東京工大 量ナノエレ研セ・大学院)
資料名： 応用物理学会学術講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Annual Meeting. Japan Society of Applied Physics)
巻： 67th  号： 2  ページ： 717  発行年： 2006年08月29日 
JST資料番号： Y0055A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *MOCVD ,...

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分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： MOCVD ,  Pr ,  シリケート ,  ゲート絶縁膜 ,  N2 ,  アニール効果