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J-GLOBAL ID：200902201476544324   整理番号：08A1272587

スルーモールドビア(TMV)のPoPベースパッケージへの応用

Application of Through Mold Via (TMV) as PoP Base Package

著者 (14件)： KIM Jinseong (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  LEE Kiwook (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  PARK Dongjoo (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  HWANG Taekyung (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  KIM Kwangho (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  KANG Daebyoung (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  KIM Jaedong (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  LEE Choonheung (Amkor Technol. Korea Inc., Seoul, KOR) ,  SCANLAN Christopher (Amkor Technol. Inc., AZ) ,  BERRY CJ (Amkor Technol. Inc., AZ) ,  ZWENGER Curtis (Amkor Technol. Inc., AZ) ,  SMITH Lee (Amkor Technol. Inc., AZ) ,  DREIZA Moody (Amkor Technol. Inc., AZ) ,  DARVEAUX Robert (Amkor Technol. Inc., AZ)
資料名： Proceedings. Electronic Components & Technology Conference  (Proceedings. Electronic Components & Technology Conference)
巻： 58th Vol.2  ページ： 1089-1092  発行年： 2008年 
JST資料番号： H0393A  ISSN： 0569-5503  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代の論理デバイスとメモリデバイスを3次元集積化したパッケージオンパッケージ(PoP)には,メモリインタフェイスの狭ピッチ化,ピン数の増大,厚みの減少,反りの厳密制御,集積化レベル向上などが要求される。ここでは,次世代用のTMV技術を適用した14mm×14mmのPoPパッケージのアセンブリプロセスと基板レベルの信頼性について記述した。モールドキャップビアをEMCドリリングと残さ洗浄によって形成し,そのビア内に鉛フリーはんだを充填し,はんだバンプを形成した。鉛フリーはんだのリフロープロファイルを模擬した各温度においてTMV,ベアダイおよびトップの各パッケージの反りをシャドウモアレ法を用いて測定した。RT~260°Cの加熱範囲においてTMVベースパッケージはトップパッケージと良く適合し,両者の間の最大反りギャップは28.8μmであった。室温冷却後のTMVベースパッケージの反りギャップは11μmであったのに対し,ベアダイベースパッケージの反りギャップは170.4μmであった。トップパッケージのBGAボールとボトムパッケージのビア内のはんだバンプを接触させ,はんだリフロによりスタッキングを行った。スタッキングの歩留りは,フラックスディップとペーストディップともに100%であった。TMV技術によるPoPは,-40~125°Cの温度範囲で500サイクルの温度サイクル試験と,0.5msecで1500Gの標準的JEDEC条件による30回の落下試験を故障することなく通過した。

シソーラス用語： *ICパッケージ ,  *高密度実装 ,  *スルーホール ,  *バイアホール ,  はんだ ,  充填 ,  リフロソルダリング ,  積層構造 ,  信頼性試験 ,  落下試験 ,  熱サイクル ,  反り ,  間隙
準シソーラス用語： *PoPパッケージ ,  鉛フリーはんだ ,  三次元実装

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： POP ,  パッケージ ,  応用