文献

J-GLOBAL ID：200902202430801230   整理番号：03A0530417

反射率差振動法を使ったSi酸化の層分解研究

Layer-resolved kinetics of Si oxidation investigated using the reflectance difference oscillation method.

著者 (6件)： YASUDA T (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  KUMAGAI N (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  NISHIZAWA M (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  YAMASAKI S (Joint Res. Center for Atom Technol., Tsukuba, JPN) ,  OHEDA H (Tsukuba Univ., Tsukuba, JPN) ,  YAMABE K (Tsukuba Univ., Tsukuba, JPN)
資料名： Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics  (Physical Review. B. Condensed Matter and Materials Physics)
巻： 67  号： 19  ページ： 195338.1-195338.6  発行年： 2003年05月 
JST資料番号： D0746A  ISSN： 1098-0121  CODEN： PRBMDO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Si(001)表面のドライ酸化運動論を反射率差振動を利用して...

シソーラス用語： *ケイ素 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0530417&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=D0746A") }}

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  半導体の表面構造  (BK15030A)

タイトルに関連する用語 (6件)： 反射率 ,  Si ,  酸化 ,  層 ,  分解 ,  研究