金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの性能を改善するためのHfO<sub>2</sub>-金属-絶縁体-半導体構造におけるオキシナイトライドバッファー層に関する研究

OTA Hiroyuki; YASUDA Naoki; YASUDA Tetsuji; MORITA Yukinori; MIYATA Noriyuki; TOMINAGA Koji; KADOSHIMA Masaru; MIGITA Shinji; NABATAME Toshihide

文献

J-GLOBAL ID：200902202917884890 整理番号：05A0494579

金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの性能を改善するためのHfO₂-金属-絶縁体-半導体構造におけるオキシナイトライドバッファー層に関する研究

Study on Oxynitride Buffer Layers in HfO₂ Metal-Insulator-Semiconductor Structures for Improving Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor Performance

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=05A0494579&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0494579&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

著者 (9件)： , , , , , , , ,
資料名：
巻： 44 号： 4A ページ： 1698-1703 発行年： 2005年04月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

この論文ではHfO₂膜の堆積条件と堆積...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0494579&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=G0520B") }}

金属-絶縁体-半導体構造 , 酸化物薄膜 , トランジスタ

引用文献 (11件)：

1) The International Technology Roadmap for Semiconductors 2004 Update (Int. SEMATECH, 2004).
2) R. Choi, C. S. Kang, B. H. Lee, K. Onishi, R. Nieh, S. Gopalan, E. Dharmarajan and J. C. Lee: Proc. of VLSI Symp., 2001, p. 15.
3) C. H. Lee, H. F. Luan, W. P. Bai, S. J. Lee, T. S. Jeon, Y. Senzaki, D. Roberts and D. L. Kwong: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., 2000, p. 27.
4) K. Sekine, S. Inumiya, M. Sato, A. Kaneko, K. Eguchi and Y. Tsushima: Tech. Dig. Int. Electron Device Meet., 2003, p. 103.
5) D. Matsushita, K. Muraoka, Y. Nakasaki, K. Kato, S. Inumiya, K. Eguchi and M. Takayanagi: Proc. VLSI Symp., 2004, p. 172.

, , , , , ,

前のページに戻る

金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの性能を改善するためのHfO2-金属-絶縁体-半導体構造におけるオキシナイトライドバッファー層に関する研究

金属-絶縁体-半導体電界効果トランジスターの性能を改善するためのHfO₂-金属-絶縁体-半導体構造におけるオキシナイトライドバッファー層に関する研究