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J-GLOBAL ID：200902203054886454   整理番号：05A0982673

2重標的同時レーザアブレーションによる広ギャップ半導体のその場正孔ドーピング GaNとSiCエピタキシャル膜

In situ hole doping of wide-gap semiconductors by dual-target simultaneous laser ablation: GaN and SiC epitaxial films

著者 (4件)： MUTO Hachizo (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...) ,  ASANO Takashi (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...) ,  WANG Rong-ping (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...) ,  KUSUMORI Takeshi (Materials Res. Inst. for Sustainable Dev., National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST) Chubu ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 87  号： 16  ページ： 162106-162106-3  発行年： 2005年10月17日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 2重標的同時レーザアブレーション堆積装置とその場ドーピング法...

シソーラス用語： レーザアブレーション ,...

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分類 (4件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (7件)： 標的 ,  レーザアブレーション ,  ギャップ ,  正孔ドーピング ,  GaN ,  SiC ,  エピタキシャル膜