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J-GLOBAL ID：200902203403810592   整理番号：09A0248322

二段階堆積とポストアニーリング技術の組み合わせで製膜したCuScO₂エピタキシャル膜の光学的電気的特性

Optical and electrical properties of CuScO₂ epitaxial films prepared by combining two-step deposition and post-annealing techniques

著者 (7件)： KAKEHI Yoshiharu (Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN) ,  SATOH Kazuo (Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN) ,  YOTSUYA Tsutom (Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN) ,  MASUKO Keiichiro (Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...) ,  YOSHIMURA Takeshi (Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...) ,  ASHIDA Atsushi (Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...) ,  FUJIMURA Norifumi (Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 311  号： 4  ページ： 1117-1122  発行年： 2009年02月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 数百ナノメーター厚さのCuScO₂エピタキシャル膜を,二段階堆積とポストアニーリング技術の組み合わせで,α面サファイア基板上への成長に成功した。膜は菱面体晶をもった単一相であり,底面では位数6の回転対称を示し,膜は双晶のドメイン構造を有していた。基板を考慮した膜の配向相関は,CuScO₂[3R](0001)//サファイア(11-20)と,CuScO₂[3R](11-20)//サファイア(0001)であった。膜の平均的な光透過率は,可視近赤外領域で60%以上と高く,直接許容遷移型エネルギーギャップは,3.7eVであると評価した。膜のp型伝導は,Hall測定によって確認した。室温での膜の電気伝導度,キャリア濃度,Hall移動度および,Seebeck係数は,それぞれ,1.0×10^-3Scm^-1,4.5×10¹⁶cm^-3,1.4×10^-1cm²V^-1s^-1および,+968μVK^-1であった。キャリア濃度の温度依存性から評価した活性化エネルギーは,0.62eVであった。Copyright 2009 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *酸化物 ,  *スカンジウム化合物 ,  *銅化合物 ,  *ヘテロエピタクシー ,  基板 ,  サファイア ,  *光透過 ,  半導体薄膜 ,  *レーザ蒸着 ,  *電気伝導率 ,  輸送係数 ,  温度依存性
準シソーラス用語： Seebeck係数

分類 (1件)： その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (8件)： 段階 ,  堆積 ,  ポストアニーリング ,  組み合わせ ,  製膜 ,  エピタキシャル膜 ,  光学 ,  電気的特性