文献

J-GLOBAL ID：200902203728178795   整理番号：08A0415723

透明非晶質酸化物半導体の電子輸送特性を制御する因子

Factors controlling electron transport properties in transparent amorphous oxide semiconductors

著者 (9件)： HOSONO Hideo (Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Nagatsuta, Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  HOSONO Hideo (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  HOSONO Hideo (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  NOMURA Kenji (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  OGO Youichi (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  OGO Youichi (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN) ,  URUGA Tomoya (SPring-8, Japan Synchrotron Radiation Res. Inst., 1-1-1 Kouto, Mikazuki-cho, Hyogo 679-5198, JPN) ,  KAMIYA Toshio (ERATO-SORST, Japan Sci. and Technol. Agency, Frontier Res. Center, Tokyo Inst. of Technol., Nagatsuta, Midori-ku ...) ,  KAMIYA Toshio (Materials and Structures Lab., Tokyo Inst. of Technol., Midori-ku, Yokohama 226-8503, JPN)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 354  号： 19-25  ページ： 2796-2800  発行年： 2008年05月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 透明非晶質酸化物半導体の電子輸送特性に影響する主要因子として金属カチオン種と後焼なまし温度を取出した。非晶質In-Ga-Zn-O(a-IGZO)薄膜を例に,堆積条件と焼なましの影響を調べた。最適化及び非最適化条件で堆積させた二種類のa-In-GZO膜をパルスレーザ蒸着のレーザパルスエネルギーを変えて作製した。非最適化条件で堆積させたままの膜の電子輸送特性は焼なましにより最適化条件で堆積させた膜のそれとほぼ同じであった。改善に効果のある温度範囲は≧300°Cで,結晶化開始温度(約500°C)よりもかなり低かった。構成金属カチオンの効果を広げるために,a-Sn-Ga-Zn-O(a-SGZO)膜及びそのTFTの輸送特性をa-IGZOのものと比べた。a-IGZOとa-SGZOのTFT性能を比較して,意図的焼なましをせずに素子を作製した場合,Inに基づく系の方が性能が遥かに良いことを明らかにした。堆積させたままのa-SGZO薄膜では遥かに強い吸収尾を認め,これは低価電子状態Sn²⁺の形成を意味し,伝導バンド最低付近にある関連欠陥状態はTFT性能を低下させた。Copyright 2008 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： 透明導電膜 ,  半導体 ,  特性 ,  カチオン ,  *焼なまし ,  最適化 ,  レーザ蒸着 ,  原子価 ,  価電子 ,  伝導バンド ,  化合物半導体 ,  *半導体薄膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *電子輸送 ,  改変
準シソーラス用語： 輸送特性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 非晶質 ,  酸化物半導体 ,  電子 ,  輸送特性 ,  因子