マグネトロンスパッタリング法で作製したp型半導体性のCu<sub>2</sub>O-NiO薄膜

MIYATA Toshihiro; TANAKA Hideki; SATO Hirotoshi; MINAMI Tadatsugu

文献

J-GLOBAL ID：200902203830193219 整理番号：06A0864437

マグネトロンスパッタリング法で作製したp型半導体性のCu₂O-NiO薄膜

P-type semiconducting Cu₂O-NiO thin films prepared by magnetron sputtering

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巻： 41 号： 17 ページ： 5531-5537 発行年： 2006年09月
JST資料番号： B0722A ISSN： 0022-2461 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

1000°Cで空気中又はアルゴン中でか焼し,軽くプレスした,厚...

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半導体薄膜

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マグネトロンスパッタリング法で作製したp型半導体性のCu2O-NiO薄膜

マグネトロンスパッタリング法で作製したp型半導体性のCu₂O-NiO薄膜