超伝導バルク磁石を用いて活性化されたマグネトロンスパッタリングにより調べた高いアスペクト比を持つ200nmクラスの円形通路に対するCu蒸着による底面被覆

HAZAMA H; MATSUDA T; MIZUTANI U; IKUTA H; YANAGI Y; ITOH Y; SAKURAI K; SEKIGUCHI A; IMAI A

文献

J-GLOBAL ID：200902204108080260 整理番号：04A0785945

超伝導バルク磁石を用いて活性化されたマグネトロンスパッタリングにより調べた高いアスペクト比を持つ200nmクラスの円形通路に対するCu蒸着による底面被覆

Bottom Coverage of Cu Deposit for 200-nm-Class Circular Vias with High Aspect Ratios Investigated by Magnetron Sputtering Activated Using Superconducting Bulk Magnet

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資料名：
巻： 43 号： 9A ページ： 6026-6031 発行年： 2004年09月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

超伝導バルク磁石を備えたマグネトロンスパッタリング装置を用い...

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金属薄膜

引用文献 (20件)：

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