第一原理擬ポテンシャル法により計算したドープZnSおよびZnOの電子構造の比較

IMAI Y; WATANABE A; SHIMONO I

文献

J-GLOBAL ID：200902204228939583 整理番号：03A0277681

第一原理擬ポテンシャル法により計算したドープZnSおよびZnOの電子構造の比較

Comparison of electronic structures of doped ZnS and ZnO calculated by a first-principle pseudopotential method.

出版者サイト複写サービスで全文入手 {{ this.onShowCLink("http://jdream3.com/copy/?sid=JGLOBAL&noSystem=1&documentNoArray=03A0277681&COPY=1") }}
高度な検索・分析はJDreamⅢで {{ this.onShowJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0277681&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0003A") }}

著者 (3件)： , ,
資料名：
巻： 14 号： 3 ページ： 149-156 発行年： 2003年03月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

電気伝導型と伝導率の制御に対しドープZnOとドープZnSの挙...

,...

続きはJDreamIII（有料）にて {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=03A0277681&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=W0003A") }}

半導体結晶の電子構造 , 固体デバイス材料

, , , , , ,

前のページに戻る