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J-GLOBAL ID：200902204314663639   整理番号：06A0140333

パルスストレス下におけるトンネル酸化物劣化

Tunnel oxide degradation under pulsed stress

著者 (6件)： GHIDINI G. (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  CAPOLUPO C. (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  GIUSTO G. (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  SEBASTIANI A. (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  STRAGLIATI B. (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA) ,  VITALI M. (STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA)
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 45  号： 9-11  ページ： 1337-1342  発行年： 2005年09月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (4件)： パルス ,  ストレス ,  トンネル ,  酸化物