相補型金属-酸化膜-半導体の代替ゲート絶縁膜としての二元酸化物の安定性の熱力学的考察

STEMMER S

文献

J-GLOBAL ID：200902204353242691 整理番号：04A0365150

相補型金属-酸化膜-半導体の代替ゲート絶縁膜としての二元酸化物の安定性の熱力学的考察

Thermodynamic considerations in the stability of binary oxides for alternative gate dielectrics in complementary metal-oxide-semiconductors

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資料名：
巻： 22 号： 2 ページ： 791-800 発行年： 2004年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

いくつかの二元酸化物はSiと接触しても熱力学的に安定であると...

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酸化物薄膜 , 金属-絶縁体-半導体構造

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