仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge<sub>1-x</sub>Sn<sub>x</sub>バッファ層の成長と構造評価

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J-GLOBAL ID：200902206311692940 整理番号：06A0266111

仮想Ge(001)基板上における歪緩和Ge_1-xSn_xバッファ層の成長と構造評価

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資料名：
巻： 53rd 号： 1 ページ： 413 発行年： 2006年03月22日
JST資料番号： Y0054A 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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半導体薄膜

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