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J-GLOBAL ID：200902206571130784   整理番号：08A0996335

ZnO伝導性ホイスカを用いて製造した冷エミッタを有するX線源

X-ray Source with Cold Emitter Fabricated Using ZnO Conductive Whiskers

著者 (7件)： OOKI Satoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OHSHIO Shigeo (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  NISHINO Junichi (Fukui National Coll. of Technol., Fukui, JPN) ,  OHKAWARA Yoshiaki (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OHKAWARA Yoshiaki (Ookawara Manufacturing, Gunma, JPN) ,  ITO Haruhiko (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  SAITOH Hidetoshi (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47  号： 9 Issue 1  ページ： 7303-7307  発行年： 2008年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低コストAlドープ酸化亜鉛(ZnO:Al)ホイスカ冷エミッタを用いた表面放射X線源システムに対する新構造を提示し,プロトタイプ組立を紹介した。このX線源は,伝導性ZnO:Alホイスカの凝集からなるコールドカソードを用いて製造した。これらのZnO:Alホイスカは,n型単結晶シリコンウエハ上に,大気化学蒸着で堆積させた。ZnO:Alホイスカからの電子放出流は,ZnOのAl濃度とともに変化した。これら二極および三極X線源は,アノードとして使用したタングステンターゲットからX線を発生した。葉およびマイワシのX線像を,医療用X線フィルムで撮影した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化合物半導体 ,  *酸化亜鉛 ,  *ホイスカ ,  *X線源 ,  N型半導体 ,  単結晶 ,  化学蒸着 ,  ドーピング ,  アルミニウム ,  カソード ,  基板 ,  ケイ素 ,  ウエハ【IC】 ,  電子放出 ,  ターゲット ,  アノード ,  タングステン ,  X線画像 ,  葉 ,  マイワシ ,  濃度依存性
準シソーラス用語： コールドカソード

分類 (2件)： X線技術  (BA02060D) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

引用文献 (20件)：

• M. Satoh, N. Tanaka, Y. Ueda, S. Ohshio, and H. Saitoh: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999) L586.
• H. Saitoh, M. Satoh, N. Tanaka, Y. Ueda, and S. Ohshio: Jpn. J. Appl. Phys.38(1999)6873.
• H. Najafov, Y. Fukada, S. Ohshio, S. Iida, and H. Saitoh: Jpn. J. Appl. Phys.42(2003)3490.
• Y. Ohkawara, T. Naijo, T. Washio, S. Ohshio, H. Ito, and H. Saitoh: Jpn. J. Appl. Phys.40(2001)7013.
• H. Suige, M. Tanemura, V. Filip, K. Iwata, K. Takahashi, and F. Okuyama: Appl. Phys. Lett.78(2001)2578.

タイトルに関連する用語 (4件)： ZnO ,  ホイスカ ,  エミッタ ,  X線源