文献

J-GLOBAL ID：200902207294081521   整理番号：07A1102467

光ルミネセンスマッピングによるSiCバルク基板およびエピタキシャル層における積層欠陥の伝播の非破壊分析

Nondestructive Analysis of Propagation of Stacking Faults in SiC Bulk Substrate and Epitaxial Layer by Photoluminescence Mapping

著者 (7件)： HOSHINO Norihiro (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  TAJIMA Michio (Japan Aerospace Exploration Agency, Kanagawa, JPN) ,  NISHIGUCHI Taro (SiXON Ltd., Kyoto, JPN) ,  IKEDA Keiichi (SiXON Ltd., Kyoto, JPN) ,  HAYASHI Toshihiko (SiXON Ltd., Kyoto, JPN) ,  KINOSHITA Hiroyuki (SiXON Ltd., Kyoto, JPN) ,  SHIOMI Hiromu (SiXON Ltd., Kyoto, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 46  号： 36-40  ページ： L973-L975  発行年： 2007年10月25日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： オフ軸4H-SiCのバルク基板およびエピタキシャル層における...

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,...
準シソーラス用語： 伝播

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=07A1102467&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  無機化合物のルミネセンス  (BM08093J)

タイトルに関連する用語 (8件)： 光ルミネセンス ,  マッピング ,  SiC ,  バルク ,  エピタキシャル層 ,  積層欠陥 ,  伝播 ,  非破壊分析