文献

J-GLOBAL ID：200902208829229279   整理番号：05A0427243

X線CTR散乱によるHfSiO_x/SiO₂/Si構造の界面残留秩序の測定

著者 (9件)： 三島永嗣 (大阪大 大学院) ,  川村浩太 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院) ,  神山聡 (半導体先端テクノロジーズ) ,  赤坂泰志 (半導体先端テクノロジーズ) ,  奈良安雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  中村邦雄 (半導体先端テクノロジーズ) ,  山田啓作 (早稲田大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集  (Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 52nd  号： 2  ページ： 904  発行年： 2005年03月29日 
JST資料番号： Y0054A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *ハフニウム化合物 ,...
準シソーラス用語： X線CTR散乱

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=05A0427243&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054A") }}

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 散乱 ,  SiO2 ,  Si ,  界面 ,  残留