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J-GLOBAL ID：200902209409486175   整理番号：03A0509011

化学増幅レジスト用の脱保護反応

Study of De-protection Reactions for Chemically Amplified Resists

著者 (3件)： SEKIGUCHI A (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN) ,  KONO Y (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN) ,  SENSU Y (Litho Tech Japan Corp., Saitama, JPN)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology  (Journal of Photopolymer Science and Technology)
巻： 16  号： 2  ページ： 209-216  発行年： 2003年 
JST資料番号： L0202A  ISSN： 0914-9244  CODEN： JSTEEW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学増幅レジスト(CAR)の脱保護反応をその場観察するために...

シソーラス用語： *化学増幅レジスト ,...
準シソーラス用語： FTIRスペクトル ,...

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分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  付加反応,脱離反応  (CF02030M) ,  その他の高分子の反応  (CG03040H)

物質索引 (1件)： ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン

引用文献 (18件)：

• [1] H. Ito, and C.G. Willson, ASC Symp. Ser. 2 (1984) 11.
• [2] J.V. Crivello, and J.H.W. Lam, Macromolecules 10 (1977) 1307.
• [3] G. Pawlowski, R. Dammel, and C.R. Lindley, Proc. SPIE 1262 (1990) 16.
• [4] R.D. Allen, I.Y. Wan, G.M. Wallraff, R.A. Dipietro, and D.C. Hofer, Proc. SPIE 1262 (1990) 412.
• [5] A. Sekiguchi, M. Isono and T. Matsuzawa, Jpn. J. Appl. Phys. 38 (1999) 4936.

タイトルに関連する用語 (2件)： 化学増幅レジスト ,  脱保護反応