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J-GLOBAL ID：200902210010751388   整理番号：05A0410952

Bi₂Sr₂CaCu₂O_x積層の製作に対する自己平面化過程

Self-planarizing process for the fabrication of Bi₂Sr₂CaCu₂O_x stacks

著者 (5件)： ISHIDA H. (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  OKANOUE K. (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  HAMASAKI K. (Nagaoka Univ. Technol., Niigata, JPN) ,  SHIMAKAGE H. (National Inst. Information and Communications Technol., Kobe, JPN) ,  WANG Z. (National Inst. Information and Communications Technol., Kobe, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 86  号： 12  ページ： 122503.1-122503.3  発行年： 2005年03月21日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標題超伝導体Bi-2212単結晶を用いた積層真性Joseph...

シソーラス用語： *高温超伝導体 ,...
準シソーラス用語： BSCCO

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分類 (2件)： 酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  Josephson接合・素子  (BM04043E)

タイトルに関連する用語 (3件)： 製作 ,  自己 ,  過程