室温におけるアルゴンビーム表面活性化によるシリコンウエハのウエハスケール自発ボンディング

文献

J-GLOBAL ID：200902210024611791 整理番号：03A0437207

Wafer-scale spontaneous bonding of silicon wafers by argon-beam surface activation at room temperature

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巻： A105 号： 1 ページ： 98-102 発行年： 2003年06月15日
JST資料番号： B0345C ISSN： 0924-4247 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：オランダ (NLD) 言語：英語 (EN)

4インチシリコンウエハをArビームスパッタエッチした後に真空...

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固体デバイス製造技術一般

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