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J-GLOBAL ID：200902210027934427   整理番号：07A0138695

ヘテロ金属-絶縁体-半導体構造を用いた高性能ZnO/ZnMgO電界効果トランジスタ

High-performance ZnO/ZnMgO field-effect transistors using a hetero-metal-insulator-semiconductor structure
著者 (5件)：
SASA Shigehiko

SASA Shigehiko について

(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)

Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN について

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OZAKI Masashi

OZAKI Masashi について

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KOIKE Kazuto

KOIKE Kazuto について

(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)

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YANO Mitsuaki

YANO Mitsuaki について

(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)

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INOUE Masataka

INOUE Masataka について

(Nanomaterials Microdevices Res. Center, Osaka Inst. of Technol., 5-16-1 Ohmiya, Asahi-ku, Osaka 535-8585, JPN)

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

Applied Physics Letters について


巻： 89  号： 5  ページ： 053502-053502-3  発行年： 2006年07月31日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
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ZnOベース電界効果トランジスタ(FET)の高性能能力を実証...
シソーラス用語：
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*電界効果トランジスタ

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分類 (4件)：
分類
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トランジスタ 
(NC03070N)

トランジスタ について

,  金属-絶縁体-半導体構造 
(BM03085X)

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,  酸化物薄膜 
(BK14050P)

酸化物薄膜 について

,  固体デバイス製造技術一般 
(NC03030V)

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タイトルに関連する用語 (4件)：
タイトルに関連する用語
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金属-絶縁体-半導体構造

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高性能

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ZnO

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電界効果トランジスタ

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