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J-GLOBAL ID：200902210066332990   整理番号：04A0447879

銅ダマシン配線における機械化学研磨(CMP)に関係した欠陥を減少するための低誘電率(low-k)誘電体の機械的特性の制御

Mechanical Property Control of Low-k Dielectrics for Diminishing Chemical Mechanical Polishing (CMP)-Related Defects in Cu-Damascene Interconnects

著者 (8件)： HIJIOKA K (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  ITO F (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAGAMI M (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  OHTAKE H (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HARADA Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  TAKEUCHI T (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  SAITO S (NEC Corp., Kanagawa, JPN) ,  HAYASHI Y (NEC Corp., Kanagawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43  号： 4B  ページ： 1807-1812  発行年： 2004年04月30日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 機械的強度および付着強度の誘電定数依存性を空孔率の制御された...

シソーラス用語： *銅 ,...
準シソーラス用語： 間隙率 ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (17件)：

• 1) H. Treichel, B. Withers, G. Ruhl, P. Ansmann, R. Wurl, Ch. Muller, M. Dietlmeier and G. Maier: Handbook of Low and High Dielectric Constant Materials and Their Applications, ed. H. S. Nalwa (Academic Press, San Diego, 1999), Vol. 1, Chap. 1, p. 59.
• 2) S. Lin, C. Jin, L. Lui, M. Tsai, M. Daniels, A. Gonzalez, J. T. Wetzel, K. A. Monning, P. A. Winebager, S. Jang, D. Yu and M. S. Liang: Proc. Int. Interconnect Tech. Conf., San Francisco, 2001, p. 146.
• 3) N. Aoi, T. Fukuda and H. Yanazawa: Proc. Int. Interconnect Tech. Conf., San Francisco, 2002, p. 72.
• 4) S. Allada: Proc. Int. Interconnect Tech. Conf., San Francisco, 1999, p. 161.
• 5) G. Kloster, T. Scherban, G. Xu, J. Blaine, B. Sun and Y. Zhou: Proc. Int. Interconnect Tech. Conf., San Francisco, 2002, p. 242.

タイトルに関連する用語 (8件)： 銅 ,  ダマシン配線 ,  機械化学研磨 ,  CMP ,  欠陥 ,  低誘電率 ,  誘電体 ,  機械的特性