研究者

J-GLOBAL ID：200901065446199520 更新日: 2024年12月18日

大竹浩人

オオタケヒロト | Ohtake Hiroto

所属機関・部署：
職名：講師
MISC (18件)：

Shigeo Yasuhara, Juhyun Chung, Kunitoshi Tajima, Hisashi Yano, Shingo Kadomura, Masaki Yoshimaru, Noriaki Matsunaga, Tomohiro Kubota, Hiroto Ohtake, Seiji Samukawa. Structure-designable method to form super low-k SiOC film (k=2.2) by neutral-beam-enhanced chemical vapour deposition. JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS. 2009. 42. 5. 055208-1-055208-7
Michio Sato, Hiroto Ohtake, Koichi Suzuki, Seiji Samukawa. Real-time monitoring of successive sparks in high-density plasma chambers. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A. 2007. 25. 6. 1594-1598
Butsurin Jinnai, Toshiyuki Orita, Mamoru Konishi, Jun Hashimoto, Yoshinari Ichihashi, Akito Nishitani, Shingo Kadomura, Hiroto Ohtake, Seiji Samukawa. On-wafer monitoring of charge accumulation and sidewall conductivity in high-aspect-ratio contact holes during SiO2 etching process. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2007. 25. 6. 1808-1813
Munehiro Tada, Hiroto Ohtake, Fuminori Ito, Mitsuru Narihiro, Toshiji Taiji, Yoshiko Kasama, Tsuneo Takeuchi, Kouichi Arai, N. Furutake, Noriaki Oda, et al. Feasibility study of 45-nm-node scaled-down Cu interconnects with molecular-pore-stacking (MPS) SiOCH films. IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES. 2007. 54. 4. 797-806
Hiroto Ohtake, Butsurin Jinnai, Yuya Suzuki, Shinnosuke Soda, Tadashi Shimmura, Seiji Samukawa. On-wafer monitoring of electron and ion energy distribution at the bottom of contact hole. JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B. 2007. 25. 2. 400-403

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委員歴 (3件)：

2007 - 2007 The international symposium on AFI/TFI 2007 実行委員
2007 - The international conference on Solid State Devices and Materials 実行委員
2004 - ドライプロセスシンポジウム国際学会論文委員

所属学会 (4件)：

The international conference on Solid State Devices and Materials , The international symposium on AFI/TFI 2007 , ドライプロセスシンポジウム国際学会 , 応用物理学会

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