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J-GLOBAL ID:200902210128879737   整理番号:08A1120210

プラズマイオン注入によるダイヤモンドライクカーボン膜の残留応力と成膜速度の制御

Control of Residual Stress and Deposition Rate of DLC Film by Plasma-Based Ion Implantation
著者 (3件):
資料名:
巻: 14  ページ: 121-128  発行年: 2006年12月 
JST資料番号: L4460A  ISSN: 1340-3214  CODEN: POKAFE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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イオン注入とプラズマCVDを組み合わせたプラズマイオン注入法(PBIID)では,ダイヤモンドライクカーボン(DLC)膜成膜中に膜内部の残留応力が緩和される。DLC薄膜の残留応力はイオン注入電圧が約-500Vのときに最大となり,電圧の増加とともに減少する。トルエンを原料とする場合は,注入電圧が数kVで残留応力はほぼ消失する。イオン注入をしないと,初期プラズマ生成RFパルスの幅と繰返しの増加とともに残留応力は増加する。イオン注入すると,残留応力はこれらの条件には依存しない。トルエンの場合の成膜速度はアセチレンの約7倍である。
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分類 (1件):
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プラズマ応用 
引用文献 (24件):
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