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J-GLOBAL ID：200902210573044416   整理番号：06A0340260

スパッタ堆積によるa面サファイア上のRh薄膜エピタキシャル成長平面の制御

Control of Epitaxial Growth Plane of Rh Thin Films on A-Plane Sapphire by Sputter Deposition

著者 (3件)： KATO Kiyohiko (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  SASAKI Katsutaka (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN) ,  ABE Yoshio (Kitami Inst. Technol., Hokkaido, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 45  号： 4A  ページ： 2731-2735  発行年： 2006年04月15日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超高真空スパッタ装置を用い,スパッタパラメータを変化させるこ...

シソーラス用語： *薄膜 ,...
準シソーラス用語： *Rh ,...

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分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (18件)：

• T. Nakamura, Y. Nakao, A. Kamisawa and H. Takasu: Jpn. J. Appl. Phys.34(1995)5184.
• T. Aoyama, S. Yamazaki and K. Imai: Jpn. J. App!. Phys.39(2000)6348.
• K. B. Lee, S. Tirumala and S. B. Desu: Appl. Phys. Lett.74(1999)1484.
• J. R. Duclere, M. Guilloux-Viry, A. Perrin, E.. Cattan, C. Soyer and D. Remiens: Appl. Phys. Lett.81(2002)2067.
• S. Horita, S. Horii and S. Umemoto: Jpn. J. Appl. Phys.37(1998)5141.

タイトルに関連する用語 (5件)： スパッタ堆積 ,  サファイア ,  Rh ,  薄膜 ,  エピタキシャル成長