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J-GLOBAL ID：200902185476974390   整理番号：98A0950495

(100)(ZrO₂)_1-x(Y₂O₃)_x/(100)Si構造上にスパッタしたIr及びPb(Zr_xTi_1-x)O₃ヘテロエピタキシャル膜の材料特性

Material Properties of Heteroepitaxial Ir and Pb(Zr_xTi_1-x)O₃ Films on (100)(ZrO₂)_1-x(Y₂O₃)_x/(100)Si Structure Prepared by Sputtering.

著者 (3件)： HORITA S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  HORII S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN) ,  UMEMOTO S (Japan Advanced Inst. Sci. and Technol., Ishikawa, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 37  号： 9B  ページ： 5141-5144  発行年： 1998年09月 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標記PZT膜の結晶品位及び電気特性を調べた。Ir膜は成膜速度...

シソーラス用語： *DRAM ,...
準シソーラス用語： *PZT【鉛化合物】 ,...

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分類 (3件)： 半導体集積回路  (NC03162T) ,  半導体薄膜  (BK14040E) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

引用文献 (18件)：

• 1) J. L. Moll and Y. Tarui: IEEE Trans. Electron Devices 10 (1963) 338.
• 2) T. Hirai, K. Teramoto, K. Nagashima, H. Koike and Y. Tarui: Jpn. J. Appl. Phys. 34 (1995) 4163
• 3) M. de Keijser, J. F. M. Cillessen, R. B. F. Janssen, A. E. M. De Veirman and D. M. de Leeuw: J. Appl. Phys. 79 (1996) 393
• 4) C.  M. Foster, G.-R. Bai, R. Csencsits, J. Vetrone, R. Jammy, L. A. Wills, E. Carr and J. Amano: J. Appl. Phys. 81 (1997) 2349
• 5) P. Legagneux, G. Garry, D. Dieumegard, C. Schwebel, C. Pellet, G. Gautherin and J. Siejka: Appl. Phys. Lett. 53 (1988) 1506

タイトルに関連する用語 (10件)： ZrO2 ,  Y2O3 ,  Si ,  スパッタ ,  Ir ,  Pb ,  O3 ,  テロ ,  エピタキシャル膜 ,  材料特性