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J-GLOBAL ID：200902210677438041   整理番号：06A0988457

ウエハボンディングのための気相からの多結晶SiC基板の高温プロセシング

High temperature processing of poly-SiC substrates from the vapor phase for wafer-bonding

著者 (10件)： CHICHIGNOUD G. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  PONS M. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  BLANQUET E. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  CHAUSSENDE D. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  ANIKIN M. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  PERNOT E. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  MERMOUX M. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  MADAR R. (INPGrenoble, CNRS-ENSEEG, BP 75, 38402 Saint Martin d’Heres, FRA) ,  MOISSON C. (NOVASiC, Savoie Technolac, BP 267, 73375 Le Bourget du Lac Cedex, FRA) ,  LETERTRE F. (SOITEC, Parc Technologique des Fontaines 38190 Bernin, FRA)
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 201  号： 7  ページ： 4014-4020  発行年： 2006年12月20日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： “擬ウエハ”を得ることを目的とした単結晶SiC薄膜の多結晶S...

シソーラス用語： ボンディング【IC】 ,...

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分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (5件)： ウエハボンディング ,  気相 ,  多結晶 ,  SiC基板 ,  プロセシング