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J-GLOBAL ID：200902210688581415   整理番号：05A0243099

CVD法によるシリコン基板上のCeO2フィルムの作成

FABRICATION OF CeO2 FILMS ON SILICON SUBSTRATES BY CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
著者 (7件)：
SAKURAI K

SAKURAI K について

(Hosei Univ., Tokyo)

Hosei Univ., Tokyo について

, 
OHNO H

OHNO H について

(Hosei Univ., Tokyo)

Hosei Univ., Tokyo について

, 
TAGUI K

TAGUI K について

(Hosei Univ., Tokyo)

Hosei Univ., Tokyo について

, 
MORITA T

MORITA T について

(Hosei Univ., Tokyo)

Hosei Univ., Tokyo について

, 
SUZUKI S

SUZUKI S について

(Semiconductor Process Lab. Co., Ltd, Chiba)

Semiconductor Process Lab. Co., Ltd, Chiba について

, 
ISHIBASHI K

ISHIBASHI K について

(ANELVA CORP., Tokyo)

ANELVA CORP., Tokyo について

, 
YAMAMOTO Y

YAMAMOTO Y について

(Hosei Univ., Tokyo)

Hosei Univ., Tokyo について


資料名：
Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement  (Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement)

Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University. Supplement について


号： 23  ページ： 27-30  発行年： 2005年03月 
JST資料番号： L0263A  ISSN： 0914-2908  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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シソーラス用語：
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担体

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酸化物薄膜 
(BK14050P)

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