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J-GLOBAL ID：200902211106379192   整理番号：04A0211849

有機単分子修飾加工による化学的高耐久性を持つイオン感知の電界効果トランジスタの製造

Fabrication of Organic Monolayer Modified Ion-Sensitive Field Effect Transistors with High Chemical Durability

著者 (3件)： NIWA D (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  HOMMA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN) ,  OSAKA T (Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters)
巻： 43  号： 1A/B  ページ： L105-L107  発行年： 2004年01月15日 
JST資料番号： F0599B  ISSN： 0021-4922  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 種々の有機シラン単分子により化学修飾したSiO<sub>2<...

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,...

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分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (11件)：

• 1) P. N. Gilles, D. J. Wu, C. B. Foster, P. J. Dillon and S. J. Chanock: Nat. Biotechnol. 17 (1999) 365.
• 2) P. Swanson, R. Gelbart, E. Atlas, L. Yang, T. Grogan, W. F. Butler, D. E. Ackley and E. Sheldon: Sens. & Actuat. B <B>64</B> (2000) 22.
• 3) An Introduction to Ultra Thin Organic Films from Langmuir-Blodgett to Self-Asembly, ed. A. Ulman (Academic Press, San Diego, 1991).
• 4) S. R. Wasserman, Y.-T. Tao and G. M. Whitesides: Langmuir 5 (1989) 1074.
• 5) H. Sugimura, K. Ushiyama, A. Hozumi and O. Takai: Langmuir 16 (2000) 885.

タイトルに関連する用語 (7件)： 単分子 ,  修飾 ,  化学 ,  高耐久性 ,  イオン ,  感知 ,  電界効果トランジスタ